快速退火处理单晶硅片获得内吸杂效果的研究
作者单位：北京有色金属研充总院国家半导体材料研究中心 北京有色金属研充总院国家半导体材料研究中心 北京有色金属研充总院国家半导体材料研究中心
会议名称：《2004年中国材料研讨会》
会议日期：2004年
学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0802[工学-机械工程] 080201[工学-机械制造及其自动化]
摘 要：运用快速退火（Rapid Thermal Annealing）优化常规内吸杂（Internal Gettering）三步退火工艺,研究了快速退火参数对内吸杂性能的影响。研究发现快速退火保护气氛对硅片洁净区的形成有重要影响:Ar/NH3混合气氛下快速退火可以获得较薄的洁净区厚度、很高的氧沉淀密度;N2气氛下快速退火得到相对较厚的洁净区、较高的氧沉淀密度:在Ar气氛下的快速退火获得的洁净区很宽、氧沉淀密度很低。研究了快速退火保温时间、保温温度、降温速率等对洁净区厚度和氧沉淀密度的影响。研究发现:提高快速退火保温温度、保温时间、降温速度都可以降低洁净区厚度,提高吸杂区域氧沉淀密度。