μc-SiC:H太阳电池窗口材料的研究
会议名称：《2003年中国太阳能学会学术年会》
会议日期：2003年
学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家科技部重大基础研究项目资助(项目号:G2000028202 G2000028203)
摘 要：用P型微晶硅(Pμc-Si:H)或微晶硅碳薄膜(Pμc-SiC:H)代替非晶硅碳(Pa-SiC:H)作非晶硅薄膜太阳电池的窗口材料,可以显著改善电池TCO/P界面和叠层电池隧道结的接触特性,提高电池的填充因子和转换效率。本文采用七室连续RF—PECVD系统,通过调节衬底温度及精确控制BH的掺杂量,制备出了电导率达到10S/cm量级,光学带隙大于2.2eV的优质P型微晶硅碳窗口(Pμc-SiC:H)材料。