低磁场条件下Gd5(Si1-xGex)4(x=0，0．2，0．3)合金磁热效应研究
作者单位：广东海洋大学工程学院 内蒙古科技大学材料与冶金学院 包头稀土研究院
会议名称：《第六届中国功能材料及其应用学术会议》
会议日期：2007年
学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
摘 要：用高频真空悬浮炉在氢气保护下制备了 Gd(SiGe)(x=0,0．2,0．3)系列样品,用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场(H=1．3T)条件下样品的磁热效应曲线(△T-T)．结果表明,用元素 Ge 分别替代 GdSi合金中的 Si 原子,不能增强合金的磁热效应,但可在333～300K 范围改变材料的居里温度, 且磁热效应峰值范围变宽．