旋转Y切测定La3Ga5SiO14晶体的压电性能及分析
作者单位：山东大学物理与微电子学院 山东大学晶体材料国家重点实验室
会议名称：《第五届中国功能材料及其应用学术会议》
会议日期：2004年
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金资助项目(50372034) 山东省自然科学基金资助项目(Z2003F04)
摘 要：通过选择合适的晶体切型利用谐振法只测量(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片的相关参数就得到了La3Ga5SiO14晶体较为准确的压电参数.其中La3Ga5SiO14晶体的d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01 ×10-12C/N.(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片具有较大的机电耦合系数k26’≈13%和较大的机械品质因数Qm≈10000.