咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >SiC MOSFET结温在线监测及其与串扰耦合分析 收藏
SiC MOSFET结温在线监测及其与串扰耦合分析

SiC MOSFET结温在线监测及其与串扰耦合分析

作     者:曾德兴 

作者单位:天津理工大学 

学位级别:硕士

导师姓名:杜明星;汪水明

授予年度:2024年

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分