3.1～3.4GHz-45W硅微波脉冲功率晶体管的研制
作者单位：西安电子科技大学
学位级别：硕士
导师姓名：王家礼;王长河
授予年度：2009年
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：由于固态硅微波脉冲功率晶体管具有体积小、重量轻、大功率、高增益、高可靠等特点,如今广泛应用于通讯、雷达、电子对抗等领域。本文从硅微波功率晶体管的设计考虑出发,对管芯频率性能设计、功率增益性能设计进行了讨论。针对3.1～3.4GHz-45W硅微波脉冲功率晶体管,对内匹配及功率合成进行了研究,介绍了常用的内匹配网络,着重讲述了T型网络的设计方法。针对研制器件的工程需要,进行了可靠性设计,尤其是对装配工艺质量对器件可靠性的影响进行了分析并提出了解决办法。在此基础上研制出3.1～3.4GHz,输出功率45W,增益7.0dB,效率36%(脉宽300μm,占空比10%,工作电压32V)的硅微波脉冲功率晶体管。
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