四氟化碳等离子体处理制备低介电常数聚酰亚胺薄膜

作     者：顾志超 

作者单位：苏州大学 

学位级别：硕士

导师姓名：谢洪德

授予年度：2013年

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主      题：聚酰亚胺 四氟化碳 等离子体 介电常数 介电损耗 

摘      要：随着集成电路的发展，引起了信号传送延迟以及信号衰减的问题，针对这一问题，需要开发低介电常数和低介电损耗的材料。 本课题采用等离子体活化的方法，使用四氟化碳（CF4）气体，对印刷线路板常用基材聚酰亚胺薄膜进行了处理，成功将含氟基团引入到聚酰亚胺薄膜表面。通过测量材料表面的接触角，X射线光电子能谱分析等方式，验证了通过等离子体处理，含氟基团成功引入了聚酰亚胺薄膜表面。通过改变等离子体的处理功率以及处理时间，研究了不同处理条件对聚酰亚胺薄膜介电常数和介电损耗的影响。结果显示，随着处理功率和处理时间的提升，聚酰亚胺薄膜的介电常数和介电损耗在低频区域有了显著的降低（频率范围1Hz—1e+2Hz）。在最优条件下，聚酰亚胺薄膜的介电常数从平均2.7左右降低至平均1.9左右（频率范围1Hz—1e+2Hz），介电损耗正切值从平均0.145降低至平均0.06左右（频率范围1Hz—1e+2Hz）。同时，介电常数和介电损耗的降低程度与氟元素的含量有一定的正相关性。