多晶硅刻蚀中静电吸盘对产品的影响及其寿命的提高

作     者：董家伟 

作者单位：上海交通大学 

学位级别：硕士

导师姓名：黄其煜;何波涌;林忠宝

授予年度：2008年

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主      题：静电吸盘 夹持电压 偏压补偿 漏电流 使用寿命 

摘      要：在超大规模集成电路制造过程中,静电吸盘(ESC)以其良好的热传导性及较少的缺陷产生率已经广泛应用于ETCH,CVD等制造工艺中。ESC除了有夹持晶圆,冷却晶圆的作用外,它还直接影响到产品刻蚀的形貌。在多晶硅刻蚀应用中,过高的夹持电压被证明会导致栅极出现notching缺陷,这种缺陷会造成产品良率的损失。通过减小夹持电压可以避免这种缺陷的产生,提高产品的良率。 双极型ESC有两个电极,可以在晶圆上感应出两种电荷,在没有直流偏压情况下,这两种电荷绝对值一样,夹持力也是一样的。在有直流偏压情况下,电极的夹持力就会不同,进而导致夹持失败。必须有一个实时的动态电压来补偿直流偏压。确保补偿电压的准确无误是保证产品质量的重要工作。 通过对ESCURRENTEAK,Gas9lown等参数的监控,可以及时的判断ESC是否处于可靠的工作状态,判断是否要停机检查,避免产品的报废。 WAC技术已经广泛的应用于多晶硅刻蚀领域,在每处理一片晶圆后,不需要控片,工艺腔自动运行一个清机的工艺菜单,从而达到清机的作用,它可以保证在加工每片晶圆时工艺腔的条件状况是相同的。通过WAC工艺菜单的优化,以及使用方法的改进,可以有效的提高静电吸盘的使用寿命。