PbTiO3/SrTiO3(010)异质界面上的周期性失配位错及电子富集

作     者：陈星 田鹤 张泽 Xing Chen;He Tian;Ze Zhang

作者机构：浙江大学材料科学与工程学院电子显微镜中心硅材料国家重点实验室杭州310027 

出 版 物：《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期：2020年第36卷第11期

页      面：50-55页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973)(2015CB654900)资助项目 

主　　题：PbTiO3 SrTiO3 异质界面 失配位错 球差矫正透射电镜 电子能量损失谱 

摘      要：探索位错等缺陷对于铁电材料畴结构、铁电性、电导率等其他物理属性的影响对于研究铁电薄膜材料的铁电及压电机理有着至关重要的作用,关于界面位错对铁电薄膜材料物理性质产生影响的现有研究结果也还存在争议,有待深入探究。本文采用球差矫正透射电镜(STEM)以及电子能量损失谱(EELS)研究了(010)晶面PbTiO3/SrTiO3异质界面上的周期性失配位错的原子结构及电荷分布。分析结果发现在a[001]位错核区域及其附近,可能存在着电子富集的现象,该现象可能会提高位错线上的电子电导率,该结果对于探究位错对铁电异质结体系物理性质的影响具有意义。