InP基长波长晶体管激光器（特邀）

作     者：梁松 

作者机构：中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 中国科学院大学材料科学与光电工程中心 北京低维材料与器件重点实验室 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2020年第49卷第11期

页      面：120-129页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金(No.61635010) 国家重点研究发展计划(No.2018YFB2200801)~~ 

主　　题：光电子学 光电子集成 半导体激光器 InP 长波长 

摘      要：晶体管激光器同时具有激光器的光发射功能与晶体管的电流控制功能,表现出多种新颖的光电特性.相对于短波长GaAs基器件,InP基长波长晶体管激光器更适合于光纤通信系统应用因而具有重要研究价值.本文主要介绍发光波长在1.3μm与1.5μm的InP基长波长晶体管激光器的研究进展,对不同结构器件的特点及可用于提高器件性能的相关器件设计进行了分析和讨论.根据器件波导结构的不同目前已报道的边发射晶体管激光器主要包括浅脊、掩埋及深脊结构三种类型.浅脊晶体管激光器中有源量子阱材料被置于重掺杂基区材料之中,使得InP基晶体管激光器只能在低温工作.掩埋结构的InP基晶体管激光器采用npnp型InP电流阻挡层掩埋脊条型有源材料,制作工艺过于复杂,不利于降低器件成本.深脊晶体管激光器中量子阱有源区材料位于重掺杂基区材料之上,可同时减小掺杂杂质扩散及基区材料光吸收的不利影响,基于该结构实现了InP基1.5μm波段晶体管激光器室温连续电流工作.数值计算研究表明,在深脊晶体管激光器量子阱中进行n型掺杂及在其发射极波导中引入由反向pn结构成的电流限制通道均可以减少载流子向缺陷的扩散,进而减小缺陷的不利影响,提高器件性能.