InGaAs 肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟

作     者：李金培 杜刚 刘力锋 刘晓彦 LI Jinpei;DU Gang;LIU Lifeng;LIU Xiaoyan

作者机构：北京大学微电子学研究院北京100871 

出 版 物：《北京大学学报（自然科学版）》 (Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis)

年 卷 期：2020年第56卷第6期

页      面：996-1004页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(61674008)资助 

主　　题：InGaAs 肖特基源漏MOSFET 系综蒙特卡洛 

摘      要：采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法,考虑纳米尺度MOSFET沟道二维电子气中实际存在的多种散射机制,模拟InGaAs肖特基源漏MOSFET。结果显示,在稳态下,散射虽然改变了InGaAs肖特基源漏MOSFET沟道中沟道电势、电子浓度和速度的分布,但对InGaAs肖特基源漏MOSFET的输出特性和转移特性影响较小;而在施加阶跃漏端电压时,散射的存在增加了过冲电流的峰值和转换时间,降低了器件的截止频率。