Cr^(3+)离子掺杂对Al_2O_3粉末结构及发光性能影响
Effect of Cr^(3+) Doping on Structure and Photoluminescence of Al_2O_3 Powders作者机构:沈阳理工大学理学院沈阳110159
出 版 物:《材料研究学报》 (Chinese Journal of Materials Research)
年 卷 期:2011年第25卷第5期
页 面:557-560页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
基 金:沈阳理工大学博士启动专项基金2008(20)资助项目~~
主 题:无机非金属材料 Cr^(3+):Al_2O_3 荧光 纳米粉体 球磨
摘 要:采用球磨法制备了不同浓度Cr_2O_3掺杂的Al_2O_3粉体,并在700℃、1200℃空气中退火2 h。1200℃退火后样品,除掺杂浓度为1.6%的样品中出现少量γ-Al_2O_3相外,其余样品相均为纯α-Al_2O_3。样品晶格常数随着Cr^(3+)离子浓度的增加而增加。采用波长为579 nm的激发光源对佯品进行荧光光谱检测发现所有样品在469-492 nm波段,均出现F^+心所引起的缺陷发光峰.1200℃退火的所有样品都出现一个由Cr^(3+)离子中电子由2A能级到~4A_2能级跃迁引起的在694 nm的强烈发光带,掺杂浓度为0.3%时发光强度最高。当掺杂浓度高于0.3%时,样品中Cr^(3+)未能完全替代Al_2O_3中的Al^(3+)离子,出现耦合,产生浓度猝灭现象,导致该波长发光强度减弱。对比而言,700℃退火样品仅掺杂浓度为0.3%时出现694 nm的发光,且强度较低。