用于铜互连CMP工艺的抛光液研究进展及发展趋势

作     者：周佳凯 牛新环 杨程辉 王治 崔雅琪 ZHOU Jiakai;NIU Xinhuan;YANG Chenghui;WANG Zhi;CUI Yaqi

作者机构：河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2020年第39卷第9期

页      面：12-18页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家科技重大专项(02专项)(2016ZX02301003-004_007) 天津市自然科学基金(16JCYBJC16100,18JCTPJC57000)。 

主　　题：铜互连 化学机械抛光 综述 抛光液 发展方向 

摘      要：在集成电路制造中,双大马士革技术已经被广泛应用于铜互连工艺中,其中采用了化学机械抛光(CMP)技术去除在布线时电镀阶段形成的多余铜,为下面的多层金属化结构提供一个平坦的表面。CMP将化学作用和机械作用相结合,是获得晶圆局部和全局平坦化的唯一可靠技术。抛光液作为CMP工艺中最重要的耗材之一,其性能的好坏直接决定晶圆的抛光效果和良品率。本文回顾了近年来国内外开发的各种新型铜抛光液,归纳总结表明铜抛光液正在朝着弱碱性、绿色环保、一剂多用和复配协同作用的方向发展。此外,展望了铜抛光液未来的重点研究方向。