玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜研究

作     者：王文彦 秦福文 吴爱民 宋世巍 李瑞 姜辛 徐茵 顾彪 Wang Wenyan;Qin Fuwen;Wu Aimin;Song Shiwei;Li Rui;Jiang Xin;Xu Yin;Gu Biao

作者机构：大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室辽宁大连116024 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2008年第33卷第10期

页      面：880-884页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60476008) 

主　　题：电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积 氮化镓 低温沉积 玻璃衬底 

摘      要：采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）方法在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了GaN薄膜,利用反射高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和霍尔测量系统对样品进行了检测,研究了其结晶性和电学特性随沉积温度的变化。结果表明,当沉积温度为250-430℃时,得到的GaN薄膜都呈现高度的c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面形貌较为平整且呈n型导电。