衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响

作     者：闫小琴 刘祖琴 唐东升 慈立杰 刘东方 周振平 梁迎新 袁华军 周维亚 王刚 Yan Xiao Qin\ Liu Zu Qin\ Tang Dong Sheng\ Ci Li Jie\ Liu Dong Fang Zhou Zhen Ping Liang Ying Xin Yuan Hua Jun\ Zhou Wei Ya\ Wang Gang (Insititute of Physics, Center for Condensed Matter Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing\ 100080, China)

作者机构：中国科学院物理研究所中国科学院凝聚态物理中心北京100080 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2003年第52卷第2期

页      面：454-458页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :1983 40 80 )资助的课题~~ 

主　　题：衬底 氧化硅 化学气相沉积 纳米线 纳米颗粒 纳米材料 

摘      要：通过化学气相沉积法在不同衬底上制备了大量的氧化硅纳米线 .选用衬底为Si片、带有约 10 0nm厚SiO2 氧化层Si片和石英片 .利用场发射扫描电子显微镜 (SEM)和透射电镜 (TEM ,配备有能谱仪 )对样品的表面形貌、结构和成分进行研究 .结果表明 :这些纳米线都为非晶态 ,但在不同衬底上生长的纳米线形貌、尺寸和化学成分不同 .讨论了各种衬底对不同特征氧化硅纳米线生长的影响 .