p型掺杂晶体硅的低温液相(001)外延生长研究

作     者：张范 肖志刚 周浪 ZHANG Fan;XIAO Zhi-Gang;ZHOU Lang

作者机构：南昌大学光伏研究院南昌330031 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2015年第44卷第8期

页      面：2078-2083页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：江西省赣鄱英才555计划项目(20111010) 

主　　题：低温液相外延(LPE) 铝-硅熔体 硅 p-n结 

摘      要：为寻求以低成本制备n型太阳电池的pn结,进行了Al-17.6wt%Si合金熔体中(001)n型单晶硅衬底上液相外延生长p型掺杂硅实验。所用方法为垂直浸渍法,实验了过冷恒温生长与回熔处理后连续冷却生长两种模式,过程中体系以流动高纯氩保护。对所得外延生长晶体结构、形貌及所得pn结开路电压进行了分析和测定。结果显示,合金熔体中硅晶体(001)液相外延生长能够实现,但一般呈离散分布的金字塔型岛状生长;只有衬底回熔处理后原位连续降温生长模式可获得连续外延薄膜,之后在其上出现岛状生长,呈现Stranski-Krastanov生长模式。所得连续外延薄膜形成的pn结开路电压比恒温生长所得的提升约100 m V;连续外延薄膜形成后期出现的岛状生长使开路电压明显下降;生长速度提高会使连续降温外延生长pn结开路电压略有降低。