砷化镓中ps光脉冲激发的自由电子浓度及其空间Fourier分量的研究
A study of free-electron density and its spatial Fourier component excited by picosecond light pulses in GaAs作者机构：上海复旦大学物理系200433
出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)
年 卷 期：1990年第17卷第12期
页 面：717-720页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文给出了关于半绝缘GaAs中1.06μm ps光脉冲产生的自由电子的理论及计算结果,并讨论了从深能级跃迁与双光子跃迁的自由电子浓度的空间Fourier分量随激发光强度的变化。
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