La掺杂Bi4Ti3O12薄膜的制备与光电性能研究
Preparation and photoelectric properties of La-doped Bi4Ti3O12 thin films作者机构:电子科技大学材料与能源学院四川成都610054 清陶(昆山)能源发展有限公司江苏昆山215300
出 版 物:《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)
年 卷 期:2020年第39卷第7期
页 面:35-40页
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学]
基 金:国家自然科学基金(51572123) 姑苏创新创业人才计划(ZXL2016095,ZXT2018001) 昆山双创人才计划(KSRC201704)
摘 要:Bi4Ti3O12材料因其出色的化学稳定性和优异的综合性能受到研究者们的广泛关注,在铁电、压电、光电、光催化等众多领域具有应用潜力。本文采用溶胶凝胶法制备了不同La元素掺杂量的Bi4Ti3O12薄膜,研究其光电性能。发现La掺杂后的Bi4Ti3O12薄膜的光电响应特性得到明显提升,Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜具有最强的光电响应,光电流密度约为0.72μA/cm2。在此基础上,通过对Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜施加偏压,实现了对其光电响应的调控,并结合能带理论和肖特基效应对这种现象进行了理论解释。这些结果展现了La元素掺杂的Bi4Ti3O12薄膜具有良好的光电响应性能,有望在光电检测和光驱动器件领域取得广泛应用。