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DC磁控溅射沉积WO_3电致变色薄膜

WO_3 Electrochromic Thin Film Deposited by DC Magnetron Sputtering

作     者:何延春 吴春华 邱家稳 HE Yanchun;WU Chunhua;QIU Jiawen

作者机构:兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室兰州730000 

出 版 物:《材料导报(纳米与新材料专辑)》 (MATERIALS REVIEW)

年 卷 期:2008年第22卷第1期

页      面:318-320页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:表面工程技术国家级重点实验室基金项目(9140C5403010704) 

主  题:DC磁控溅射 WO3 电致变色 薄膜 光学带隙 

摘      要:采用直流磁控反应溅射工艺制备了WO_3薄膜,在初始状态和注入Li离子后的平均透射率分别为83%和6%,变化接近77%,表明该WO_3薄膜样品具有很好的电致变色性能。根据薄膜的透射率和反射率分别计算了WO_3薄膜的光学带隙:非晶WO_3薄膜的带隙为3.31eV,多晶WO_3薄膜的带隙为3.22eV。

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