ITO薄膜导电机理紫外-红外光谱分析

作     者：余刚 赵芳红 刘益环 YU Gang,ZHAO Fang-hong,LIU Yi-huan(China Building Materials Academy,Beijing 100024,China)

作者机构：中国建筑材料科学研究总院北京100024 

出 版 物：《武汉理工大学学报》 (Journal of Wuhan University of Technology)

年 卷 期：2009年第31卷第22期

页      面：84-87页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：ITO薄膜 载流子浓度 红外光谱 紫外光谱 Burstein-Moss移动 

摘      要：采用射频磁控溅射方法在石英玻璃基片上制备ITO薄膜,结合薄膜面电阻和微观结构,采用红外、紫外光谱特征分析薄膜的导电机理。结果表明:在相同氧分压下随温度升高紫外吸收波长向短波方向移动,光学带隙展宽,红外等离子共振吸收波长向短波方向移动;随氧分压增加紫外吸收波长明显向长波方向移动,光学带隙变窄,红外等离子共振吸收波长向长波方向移动;根据Burstein-Moss移动理论及XRD、AFM结果,说明温度升高改善ITO薄膜结晶程度,提高Sn掺杂效率,载流子浓度增加;相同温度条件下随氧分压的增加使氧空位减少,载流子减少,并且氧分压的影响更为显著。