基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件的温度特性

作     者：龙泽 夏晓川 石建军 刘俊 耿昕蕾 张赫之 梁红伟 Long Ze;Xia Xiao-Chuan;Shi Jian-Jun;Liu Jun;Geng Xin-Lei;Zhang He-Zhi;Liang Hong-Wei

作者机构：大连理工大学微电子学院大连116024 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2020年第69卷第13期

页      面：282-291页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：大连市科技创新基金(批准号:2018J12GX060) 国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400600,2016YFB0400601)资助的课题 

主　　题：氧化镓 机械剥离 肖特基二极管 温度特性 

摘      要：本文制备了基于机械剥离β-Ga2O3的Ni/Au垂直结构肖特基器件,对该器件进行了温度特性I-V曲线测试.器件表现出了良好的二极管特性,随着温度从300 K升高至473 K,势垒高度从1.08 e V上升至1.35 e V,理想因子从1.32降低至1.19,二者表现出了较强的温度依赖特性,这表明器件的肖特基势垒存在势垒高度不均匀的问题.串联电阻随温度升高而降低,这主要是热激发载流子浓度升高导致的.本文利用势垒高度的高斯分布对器件的温度特性进行了修正,修正后的势垒高度为1.54 e V,理查孙常数为26.35 A·cm–2·K–2,更接近理论值,这表明利用高斯分布势垒高度的热电子发射模型能够很好地解释Au/Ni/β-Ga2O3肖特基二极管的I-V温度特性问题,这种方法更适合用来测量β-Ga2O3肖特基二极管的电学参数.