基于CRC与比特交织的LDPC码3D Flash差错控制方法研究

作     者：郏宏鑫 郭锐 JIA Hong-xin;GUO Rui

作者机构：杭州电子科技大学通信工程学院浙江杭州310018 

出 版 物：《软件导刊》 (Software Guide)

年 卷 期：2020年第19卷第4期

页      面：247-251页

学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：浙江省自然科学基金项目(LY16F010013) 浙江省重点科技创新团队基金项目(2013TD03)。 

主　　题：三维三层单元闪存 低密度奇偶检验码 循环冗余校验 比特交织 差错控制 

摘      要：为解决3D Flash存储密度增大导致Flash整体误码率不断提高、数据可靠存储时间缩短的问题,提出一种基于循环冗余校验与比特交织的LDPC码3D Flash差错控制方法。该方法首先用CRC判决读取数据是否出错,若出错则实施LDPC纠错,避免浪费纠错资源。在数据读写过程中使用比特交织的方法改变3D TLC Flash逻辑页的比特信息存放顺序,降低3D Flash单一逻辑页误码率过高引起的不必要坏区发生概率。仿真结果表明,在3D TLC Flash信道下,LSB逻辑页的比特误码率下降约35.7%,Flash数据保留时间增加了30.9%。该差错控制方法可在3D TLC Flash控制器中实现,不仅可提高3D TLC Flash数据存储可靠性,还可延长3D TLC Flash数据可靠存储时间。