应变(001)p型金属氧化物半导体反型层空穴量子化与电导率有效质量
Hole quantization and conductivity effective mass of the inversion layer in(001) strained p-channel metal-oxid-semiconductor作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2014年第63卷第23期
页 面：428-433页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0704[理学-天文学]
基 金：教育部博士点基金(批准号:JY0300122503) 陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2014JQ8329)资助的课题~~
主 题：应变 p型金属氧化物半导体 沟道 设计
摘 要：基于k·p微扰理论框架,研究建立了单轴张/压应变Si,Si基双轴应变p型金属氧化物半导体(PMOS)反型层空穴量子化有效质量与空穴面内电导率有效质量模型.结果表明:对于单轴应力PMOS,选择单轴压应力可有效增强器件的性能;同等增强PMOS空穴迁移率,需要施加的单轴力强度小于双轴力的强度;在选择双轴应力增强器件性能时,应优先选择应变Si1-x Ge x作为沟道材料.所获得的量化理论结论可为Si基及其他应变器件的物理理解及设计提供重要理论参考.
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