功率器件用n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触工艺

作     者：夏经华 桑玲 杨香 郑柳 查祎英 田亮 田丽欣 张文婷 杨霏 吴军民 Xia Jinghua;Sang Ling;Yang Xiang;Zheng Liu;Zha Yiying;Tian Liang;Tian Lixin;Zhang Wenting;Yang Fei;Wu Junmin

作者机构：先进输电技术国家重点实验室北京102209 全球能源互联网研究院有限公司北京102209 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2020年第57卷第7期

页      面：568-576页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家电网有限公司总部科技项目(5455GB180006) 

主　　题：n/p型4H-SiC Ni基金属 同时形成欧姆接触 欧姆接触机理 合金相 

摘      要：综述了在n/p型4H-SiC上同时形成欧姆接触技术的研究进展,包括欧姆接触理论、欧姆接触工艺及其优缺点以及热稳定性/可靠性等方面。重点介绍了基于Ni基金属的n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触的工艺,包括以金属Ni为基础并结合Ti和Al与W等金属所形成的各种复合接触材料、通过合适的合金化退火工艺后得到的合金相、形成欧姆接触后得到的比接触电阻率,讨论了可能的欧姆接触形成机理,评估了其热稳定性/可靠性。讨论了在工艺上增加保护层对Ni基n/p型4H-SiC欧姆接触的性能以及热稳定性/可靠性等性能的影响。最后,评估了该工艺的研发现状和存在的问题,并提出未来的展望。