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H-plasma In-situ Cleaning and Lattice Damage Elimination

H-plasma In-situ Cleaning and Lattice Damage Elimination

作     者:Chenguang GONG+ Fuchu SHEN Biguang YE Jian CHEN, Zhenjiang University, Hangzhou, 310027, China 

出 版 物:《Journal of Materials Science & Technology》 (材料科学技术(英文版))

年 卷 期:1993年第9卷第2期

页      面:133-135页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:H-plasma cleaning lattice damage epitaxial Si film 

摘      要:This article discusses the silicon lattice damage induced during H-plasma in-situ cleaning and finds that the substrate temperature, plasma power, processing time, all affect the extent of the distortion of the surface and its curability.

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