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优化检测制程设计加速改善65nm芯片的良率

Accelerated 65nm Yield Ramp through Optimization of Inspection on Process-Design Sensitive Test Chips

作     者:Sang Chong Eric Rying Alexa Perry Stephen Lam Mary Ann St Lawrence 

作者机构:IBM微电子部Hopewell Junction PDF Solutions KLA-Tencor Corporation Hopewell Junction 

出 版 物:《电子工业专用设备》 (Equipment for Electronic Products Manufacturing)

年 卷 期:2008年第37卷第3期

页      面:38-42页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:特征化载具 测试芯片 缺陷检测 缺陷叠置分析 S/N分析 KLA—Tencor 2800 制程-设计互动 

摘      要:描述一种广泛应用于探索制程设计方面的系统性及随机性故障的短流程测试芯片与先进的检测工具平台相结合的综合方法,以对在65nm技术节点上的关键性缺陷进行特征化描述和监控,借此加速基于缺陷的良率学习。通过独特的快速电性测试方案、快速分析软件以及优化的检测效果,可缩短快速制程开发的学习周期。通过将在一个领先的300mm晶片厂得到的CV检测设置知识经验成功运用于制造过程,优化了产品的关键缺陷(DOI)检测。

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