胶体法制备CdSe纳米晶

作     者：陈异 高濂 CHEN Yi, GAO Lian(State Key Lab of High Performance Ceramics & Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China)

作者机构：中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室上海200050 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2002年第17卷第6期

页      面：1284-1291页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：胶体法 制备 CdSe 纳米晶 软化学方法 TOPO 硒化镉 半导体 

摘      要：采用胶体软化学方法,用磷酸三丁酯(TBP)溶解硒粉和氯化镉,在辅助溶剂三辛基氧化磷(TOPO)中加热分解前驱物并化学键合,制备出了边长约为60nm三角锥型的CdSe纳米晶.用TEM、AFM和UV-vis吸收光谱对所得纳米晶进行了表征.