SiGe HBTs高频特性模拟分析
作者机构：北京工业大学电子工程系
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1999年第20卷第6期
页 面：468-475页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文详细分析了下述问题：（１）在基区厚度减薄到几十纳米后，发射区时间常数、集电区时间常数对ＳｉＧｅＨＢＴｓ的高频特性的影响；（２）低掺杂浓度发射区层对发射区渡越时间的影响；（３）在发射结耗尽层中，除了固定电荷因素引起的电容外，发射结正常工作加正向偏压时，由于自由载流子注入引起的ＥＢ结电容．由以上物理分析可以得出器件的有关参数，并由器件的等效电路，对器件的高频特性进行分析和模拟，对影响器件高频特性的参数进行优化．
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