LD泵浦被动调Q-Yb^(3+)∶YAG微晶片激光器的优化设计
Design and Optimization of LD-pumped Passively Q-switched Yb^(3+)∶YAG Microchip Laser作者机构：北京交通大学理学院北京100044
出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)
年 卷 期：2013年第34卷第9期
页 面：1219-1226页
核心收录：
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
主 题：微晶片激光器 被动Q调制 Yb3+∶YAG Cr4+∶YAG 速率方程
摘 要：从速率方程出发,理论分析了泵浦功率、输出镜反射率、Cr4+∶YAG的初始透过率和长度、Yb3+∶YAG的长度对调Q激光器的重复频率、脉冲宽度、平均输出功率、峰值功率、输出脉冲能量和单脉冲能量利用率的影响。依据理论结果设计了一个窄脉冲宽度、高峰值功率和脉冲能量的被动调Q-Yb3+∶YAG微晶片激光器。该激光器的脉冲宽度Δt=199 ps,峰值功率P m=1.04 MW,输出脉冲能量E=0.21 mJ。
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