高k介质SOI LDMOS RTS噪声测试新方法
New Measurement Method of RTS Noise in SOI LDMOS with High-k Gate Dielectric作者机构：重庆科创职业学院人工智能学院重庆402160
出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)
年 卷 期：2020年第43卷第1期
页 面：234-238页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程]
主 题：RTS噪声 SOI LDMOS 噪声模型 氧化层陷阱 自动温控
摘 要：提出了一种基于智能温控的RTS噪声测试与分析新方法。该方法利用高k栅介质SOI LDMOS边界陷阱特性,首先建立了含有俘获时间常数、发射时间常数以及噪声幅度等参数的RTS噪声模型;然后设计了RTS噪声智能温控测试系统;最后对实测RTS噪声数据进行频谱变换,得到噪声功率谱密度并作分析。实验表明,该测试系统可以有效地获取高k栅介质SOI LDMOS的RTS噪声,具有良好的动态特性,且其本底噪声抑制率较高,较待测信号低两个数量级左右。
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