锌硼玻璃掺杂低压ZnO压敏电阻电性能及晶粒生长动力学研究

作     者：万帅 吕文中 

作者机构：华中科技大学电子科学与技术系武汉430074 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2010年第25卷第2期

页      面：157-162页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：新世纪优秀人才支持项目(NCET-07-0329) 

主　　题：锌硼玻璃 压敏电阻 电性能 动力学指数 激活能 

摘      要：研究了锌硼玻璃掺杂量对低压ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响.结果表明,当掺杂量x=0.1wt%时,可以得到较好综合性能的ZnO压敏电阻:E1mA=36.7V/mm,α=30.4,IL=0.1μA.并应用晶粒生长动力学唯象理论研究了锌硼玻璃掺杂低压ZnO压敏电阻的晶粒生长规律,探讨了锌硼玻璃掺杂对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长的作用机理.当烧结温度T≤1000℃时,其晶粒生长动力学指数n≈4.54,激活能Q≈316.5kJ/mol,这是由于未熔融的锌硼玻璃通过颗粒阻滞机理阻碍了ZnO压敏陶瓷晶粒的生长;而当T1000℃时,其晶粒生长动力学指数n≈2.92,激活能Q=187kJ/mol,这是由于熔融的锌硼玻璃通过液相烧结机理促进了晶粒的生长.