多晶硅表面织构化新工艺的研究

作     者：王应民 程泽秀 李清华 江龙迎 刘琪 

作者机构：南昌航空大学光伏器件与技术研究所江西南昌330063 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2011年第31卷第12期

页      面：176-181页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：江西省重大科技专项(2009AZD10103) 江西省科技厅重大招标项目(CB200901285)资助课题 

主　　题：材料 多晶硅 电化学腐蚀 化学酸腐蚀 表面织构 

摘      要：先后采用电化学腐蚀法和化学酸腐蚀法腐蚀多晶硅,用于制备高效率多晶硅太阳电池。首先将多晶硅片在HF和CH3CH2OH体积比为1∶2的溶液中进行电化学预腐蚀,具体研究不同电流密度对多晶硅绒面形貌的影响;然后采用化学酸腐蚀法进行二次腐蚀,去除多晶硅表面的疏松结构,得到高性能的多晶硅绒面。使用扫描电镜观察多晶硅表面腐蚀形貌。实验结果表明,当电流密度为30mA/cm2、腐蚀时间为300s时,多晶硅表面形成带孔洞的疏松结构;预腐蚀后多晶硅片在HF和H2O2体积比为4∶1的化学腐蚀溶液中,在室温超声腐蚀60s后,腐蚀坑平均孔径为2～4μm,坑深为1.5～2μm,能达到良好的光陷阱作用和减反射效果,可以提高多晶硅太阳电池的光电转换效率。