AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用

作     者：刘鲁 范广涵 廖常俊 曹明德 陈贵楚 陈练辉 Liu Lu 1) Fan Guang-Han 1) Liao Chang-Jun 2) Cao Ming-De 1) Chen Gui-Chu 1) Chen Lian-Hui 1) 1)(Metalorganic Chemical Vapor Deposition Laboratory,Information and Photoelectron School,South China Normal University,Guangzhou 510631,China) 2)(Quantum and Electron Institute,Information and Photoelectron School,South China Normal University,Guangzhou 510631,China)

作者机构：华南师范大学信息光电子科技学院金属有机化合物气相沉积实验室广州510631 华南师范大学信息光电子科技学院量子电子研究所广州510631 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2003年第52卷第5期

页      面：1264-1271页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：广州市科技重点计划项目 (批准号 :1999 z 0 35 0 1)资助的课题~~ 

主　　题：AlGaInP 镓铝铟磷四元系材料 渐变异质结 高亮度发光二极管 HB-LED 半导体材料 发光效率 

摘      要：引入渐变理论 ,通过建立AlGaInP四元系材料渐变异质结能带简单模型 ,分析在渐变长度相同、不同渐变方式下导带边的情况 .分析不同掺杂浓度下 ,渐变区长度变化对势垒尖峰值和n区电势能之间差值的影响 .讨论了渐变方式引入高亮度发光二极管 (HB LED)