Mg^(2+)掺杂对SrTiO_3薄膜光电特性的影响
The influence of doped Mg^(2+) SrTiO_3 film photoelectric properties作者机构：西北大学信息科学与技术学院陕西西安710127 西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071
出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)
年 卷 期：2013年第44卷第B6期
页 面：105-107页
核心收录：
学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：利用溶胶-凝胶法在Al2O3陶瓷片上制备掺Mg的SrTiO3薄膜。在SrTiO3中掺杂不同含量的Mg离子,Mg在钛酸锶中取代钛位,形成受主掺杂。研究了掺杂对薄膜电阻率的影响,实验表明,当掺杂浓度为4%时,电阻率最小。当掺杂浓度为4%时,薄膜电阻率会随着光功率变化而变化,当光功率100W时,电阻迅速减小,超过100W时,减小幅度变小。
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