氢等离子体退火对氢化非晶硅结构有序度的影响
Influence of Hydrogen Plasma Annealing on the Microstructural Ordering of Hydrogenated Amorphous Silicon出 版 物：《南京大学学报（自然科学版）》 (Journal of Nanjing University（Natural Science）)
年 卷 期：2005年第41卷第1期
页 面：61-65页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金 ( 10 3 740 49 10 1740 3 5 90 3 0 10 0 9 60 42 5414 ) 江苏省自然科学基金 (BK2 0 0 2 40 7)
摘 要：室温下利用氢等离子体退火技术对氢化非晶硅 (a_Si:H)薄膜进行处理 ,通过傅立叶红外、光吸收、拉曼光谱 3种测试手段对非晶硅的微结构进行了分析 ,发现不同的退火时间对a_Si:H的微结构影响很大 ,氢等离子体在与薄膜的化学反应过程中主要表现为原子氢 (H0 )与薄膜的反应 .化学势很高的H0 能将Si_Si弱键转变成Si_Si强键 .硅网络结构发生弛豫 ,使结构由无序向有序转变 ,从而能够降低晶化温度与退火时间 .
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