HBM模型中IC器件氧化层击穿机理
Dielectric oxide film breakdown mechanism of IC device in human body model作者机构：上海海运学院基础教学部上海200135
出 版 物：《上海海事大学学报》 (Journal of Shanghai Maritime University)
年 卷 期：2004年第25卷第4期
页 面：86-88页
学科分类：07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
摘 要：在IC器件氧化层介质击穿物理模型的基础上,讨论人体带电放电模型(HBMESD)中波动电压加于氧化层上时绝缘介质氧化层的击穿机理。
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