高次谐波体声波谐振器的频率修正方法研究

作     者：肖佩芸 李鉴 郑天 田裕康 程建政 XIAO Peiyun;LI Jian;ZHENG Tian;TIAN Yukang;CHENG Jianzheng

作者机构：武汉纺织大学电子与电气工程学院湖北武汉430200 中国科学院声学研究所声场声信息国家重点实验室北京100190 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2019年第41卷第6期

页      面：789-792页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 1002[医学-临床医学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(11804256) 中国科学院重点部署基金资助项目(QYZDY-SSW-JSC007) 

主　　题：高次谐波体声波谐振器 谐振频谱 有效机电耦合系数 机械品质因数 频率修正 

摘      要：基于高次谐波体声波谐振器(HBAR)的一维纵向振动模型,研究了获得工作在某一谐振频率HBAR的几种频率修正方法,即减薄基底或顶电极,或在其表面沉积薄膜,并讨论了频率修正前后其有效机电耦合系数(Keff^2)和机械品质因数(QM)的变化情况。结果表明,对于该文结构的HBAR,减薄基底的频率修正方法最佳,其对Keff^2和QM的影响最小;若选择沉积薄膜法进行频率修正,其对Keff^2的影响不大,但对QM的影响较大,故宜选择沉积低损耗的材料。