半导体陶瓷致冷材料的性能与结构

作     者：崔万秋 程皓 龚定农 张斗 

作者机构：武汉工业大学 

出 版 物：《材料科学进展》 (Chinese Journal of Materials Research)

年 卷 期：1993年第7卷第3期

页      面：219-224页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：温差电 陶瓷 半导体陶瓷 

摘      要：采用新的陶瓷工艺技术,在气氛保护条件下,通过固相烧结反应法制备出温差电多晶材料。对膺三元固溶体化合物 P 型(72%Sb_2Te_3+25%Bi_2Te_3+3%Sb_2Se_3)和 N 型(90%Bi_2Te_3+5%Sb_2Te_3+5%Sb_2Se_3)的掺杂陶瓷样品进行了性能与结构研究。找到了最佳工艺制度。样品性能参数为:N 型:α=186μV/K σ=1250Ω^(-1)·cm^(-1) λ=14.7mW/(cm.K) Z=2.9×10^(-3)/KP 型:α=220μV/K σ=900 Ω^(-1)·cm^(-1) λ=14.0mW/(cm.K) Z=3.1×10^(-3)