两步法制备Y_2O_3掺杂ZnO压敏瓷
Y_2O_3-doped ZnO-based Varistors Ceramics by Two-step Sintering Method作者机构：江苏大学材料科学与工程学院镇江212013 上海大学纳米科学与技术研究中心上海200444 上海大学理学院上海200444
出 版 物：《材料导报》 (Materials Reports)
年 卷 期：2010年第24卷第6期
页 面：78-79,85页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：上海市科委技术创新人才团队建设专项项目(06DZ05902)
摘 要：采用两步烧结制备了Y2O3掺杂ZnO压敏瓷,其电位梯度为863～1330V/mm,非线性系数为27.0～49.7,漏电流为0.55～1.13μA。研究结果表明,当Y2O3的掺杂量为1.00%(摩尔分数)时,压敏瓷电性能最好,电位梯度为1330V/mm,非线性系数为49.7,漏电流为0.76μA。
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