一种新颖的基于离子束刻蚀的纳米沟道制备技术

作     者：史明甫 焦继伟 包晓清 冯飞 杨恒 李铁 王跃林 SHI Ming-fu;JIAO Ji-wei;BAO Xiao-qing;FENG Fei;YANG Heng;LI Tie;WANG Yue-lin

作者机构：中国科学院研究生院 上海微系统与信息技术研究所传感器技术联合国家重点实验室 

出 版 物：《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)

年 卷 期：2006年第19卷第5A期

页      面：1462-1465页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0802[工学-机械工程] 0811[工学-控制科学与工程] 

基　　金："973"项目资助(2006CB300403) 

主　　题：微/纳机械系统纳米沟道 离子束刻蚀 

摘      要：研究了一种新颖的基于MEMS工艺中离子束刻蚀的纳米沟道制备技术,通过研究离子束刻蚀微米级线条时,离子束刻蚀角度与刻蚀的轮廓形状之间的关系,在2μm线条内刻蚀出纳米沟道所需要的掩模图形,并结合KOH的各向异性腐蚀,成功获得了纳米沟道阵列。在两种不同的离子束刻蚀条件下,在2μm图形内分别制备出单纳米沟道和双纳米沟道,最小宽度可达440nm.