快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

作     者：孙世龙 刘彩池 郝秋艳 滕晓云 赵丽伟 赵彦桥 王立建 石义情 Sun Shilong;Liu Caichi;Hao Qiuyan;Teng Xiaoyun;Zhao Liwei;Zhao Yanqiao;Wang Lijian;Shi Yiqing

作者机构：河北工业大学信息功能材料研究所天津300130 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130 河北工业大学信息功能材料研究所天津300130 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第Z1期

页      面：165-168页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60076001) 河北省自然科学基金(批准号:E2005000057)和河北省教育厅(批准号:2004311)资助项目 

主　　题：重掺As硅片 快速热处理 氧沉淀 清洁区 

摘      要：对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.