碳化硅MOSFET栅氧化层可靠性研究

作     者：黄润华 钮应喜 杨霏 陶永洪 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 HUANG Runhua;NIU Yingxi;YANG Fei;TAO Yonghong;BAI Song;CHEN Gang;WANG Ling;LIU Ao;WEI Neng;LI Yun;ZHAO Zhifei

作者机构：单片集成电路和模块国家级重点实验室江苏省南京市210016 国网智能电网研究院北京市昌平区102209 南京电子器件研究所江苏省南京市210016 

出 版 物：《智能电网》 (Smart Grid)

年 卷 期：2015年第3卷第2期

页      面：99-102页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-003)~~ 

主　　题：界面态 碳化硅金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容 可 

摘      要：通过TCAD仿真的方法对器件可靠性与结构设计之间的关系进行分析;对栅极电压和栅氧化层最强电场进行仿真,以对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)单胞结构参数进行优化;在N型碳化硅外延层上制作金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)电容,并且通过对MOS电容进行C-V测试的方法评估Si O2/Si C界面质量。对导带附近界面陷阱密度进行比较。NO退火的样品与干氧氧化样品相比界面质量明显改善,界面态密度小于5×10~11 cm–2e V–1。