GaAs太阳电池引入量子阱结构后抗辐射性能的变化

作     者：刘运宏 王荣 孙旭芳 杨靖波 段立颖 LIU Yunhong;WANG Rong;SUN Xufang;YANG Jingbo;DUAN Liying

作者机构：北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室 北京师范大学低能核物理研究所北京100875 北京市辐射中心北京100875 北京师范大学低能核物理研究所 

出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期：2006年第29卷第4期

页      面：268-270页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080502[工学-材料学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0825[工学-航空宇航科学与技术] 

基　　金：北京市优秀人才基金和北京市自然科学基金资助 

主　　题：GaAs 太阳电池 量子阱 质子辐照 

摘      要：利用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束模拟空间环境辐射,对引入量子阱GaAs太阳电池和无量子阱GaAs太阳电池进行2MeV质子注量为1×109—2×1013cm-2的辐照,通过电池I-V特性和光谱响应测试,研究分析了它们的辐射效应。结果表明这两种电池的Isc、Voc和Pmax的衰降幅度均随辐照注量增加而增大;而相同注量的辐照,引入量子阱GaAs太阳电池电性能衰降幅度要比无量子阱GaAs太阳电池的大。经2×1013cm-2质子辐照后,引入量子阱GaAs太阳电池光谱响应在400—1000nm整个波段有明显衰降,且长波区(900—1000nm)的量子阱特性消失。量子阱结构的引入使GaAs太阳电池的抗辐射性能下降。