GaP发光二极管中深能级对发光强度的影响研究
Study of the luminance intensity on Zn-O deep level in GaP LEDs作者机构：潍坊学院信息与控制工程学院山东潍坊261061
出 版 物：《光学技术》 (Optical Technique)
年 卷 期：2009年第35卷第6期
页 面：832-834,839页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 070207[理学-光学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学]
摘 要：应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了GaP发光二极管中Zn-O对深能级,并计算出了其能级的激活能。GaP红色发光二极管经过γ射线长时间辐照后,其Zn-O对的浓度和发光管发光强度发生了变化。结果表明,经γ射线辐照后,GaP红色发光二极管中的Zn-O对的浓度增大,发光强度增强。它为提高GaP红色发光二极管的发光效率提供了一种新的方法。
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