自旋阀多层膜巨磁电阻的研制

作     者：温殿忠 WEN Dian-zhong

作者机构：黑龙江大学集成电路重点实验室 

出 版 物：《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)

年 卷 期：2006年第19卷第5B期

页      面：2050-2053,2056页

核心收录：

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：电子工程黑龙江省高校重点实验室室基金项目 黑龙江大学集成电路重点实验室基金项目资助 

主　　题：Cu/Co纳米薄膜 扫描电镜 巨磁电阻 金属掩膜技术 磁控溅射 

摘      要：阐述了多层膜巨磁电阻自旋阀的设计原理和采用金属掩膜版磁控溅射的方法研制多层膜巨磁电阻自旋阀的工艺.制造的多层膜巨磁电阻采用[Co/Cu/Co]三重结构.同时分析了制备的Cu、Co纳米膜的形貌以及利用自旋阀GMR传感器测试得到的实验校准数据并绘制出输出-输入曲线.实验结果表明,制造的巨磁电阻提高了低场下的磁灵敏度,可以用来检测不同方位地磁场的大小,用该方法制造巨磁电阻的迟滞为0.01%F.S.文中介绍的多层膜巨磁电阻制造方法具有工艺简单、可与IC工艺相兼容的优点,有推广应用前景.