超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型
A 2D semi-analytical model for the potential distribution of ultra-short channel MOSFET作者机构：安徽大学电子信息工程学院合肥230061 芜湖职业技术学院电子信息工程系芜湖241000
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：2013年第62卷第9期
页 面：469-476页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金(批准号:61076086) 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:2103401110008)资助的课题~~
摘 要：本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的优点是避免了数值分析时的方程离散化,表达式不含适配参数、运算量小、精度与数值解的精度相同,可直接用于电路模拟程序.文中计算了沟道长度是45—22nm的MOSFET电势、表面势和阈值电压.结果表明,新模型与Medici数值分析结果相同.
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