双吡咯烷酮为核的联噻吩衍生物SMDPPEH薄膜热退火过程中微结构变化的实时表征

作     者：杨丹 李海东 张吉东 YANG Dan;LI Haidong;ZHANG Jidong

作者机构：长春工业大学化学工程学院长春130012 中国科学院长春应用化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室长春130022 嘉兴学院材料和纺织工程学院嘉兴314001 

出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期：2016年第39卷第2期

页      面：7-12页

核心收录：

学科分类：082703[工学-核技术及应用] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 080501[工学-材料物理与化学] 0827[工学-核科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 1009[医学-特种医学] 0702[理学-物理学] 0801[工学-力学（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金项目(No.U1332116)资助 

主　　题：SMDPPEH薄膜 相转变 热退火 

摘      要：用旋涂法制备了双吡咯烷酮为核的联噻吩衍生物(Diketopyrrolopyrrole-containing Oligothiophene,SMDPPEH)薄膜,并采用紫外-吸收光谱和掠入射X射线衍射方法研究了热退火过程中的微结构变化。原位热退火的紫外-吸收光谱结果表明,100?C及以上时,第二个和第三个最大吸收峰发生蓝移。掠入射X射线衍射结果表明SMDPPEH薄膜在100?C左右退火时有相变产生,并且随退火温度升高,薄膜的结晶度在增大。相应处理后的SMDPPEH薄膜的紫外-吸收光谱和掠入射X射线衍射证明了SMDPPEH薄膜这个相变保留到了降温后的薄膜中。