室温下制备非晶ZnO薄膜及其电阻开关特性研究

作     者：张涛 徐智谋 武兴会 刘斌昺 

作者机构：华中科技大学光学与电子信息学院武汉430074 

出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)

年 卷 期：2014年第29卷第11期

页      面：1161-1166页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(61076042)~~ 

主　　题：深紫外固化 电阻开关 非晶态氧化锌薄膜 

摘      要：室温下采用紫外固化的方法取代溶胶–凝胶方法中的高温退火制备了氧化锌薄膜,XRD分析结果表明薄膜为非晶的,XPS分析结果表明薄膜的主要成分是ZnO。在深紫外固化后的薄膜表面溅射Al作为顶电极获得Al/a-ZnO/FTO结构的器件,研究深紫外照射时间对器件电阻转变性能的影响,进一步解释了深紫外固化的机制。研究表明:经过充足时间(12h)照射的器件表现出双极性电阻开关特性,阈值电压分布集中(–3.7 VVset–2.9 V,3.4 VVreset4.3 V)且符合低电压工作的要求,至少在4000 s内器件的高低阻态都没有发生明显的退化,表现出了良好的存储器特性。Al/a-Zn O/FTO器件的这种电阻转变特性可以用空间电荷限制电流传导机制解释。