4×128元HgCdTe红外焦平面TDI CCD信号处理器件
4×128 pixel HgCdTe infrared focal plane TDI CCD signal processing device作者机构：重庆光电技术研究所
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：1998年第19卷第2期
页 面：67-70页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0803[工学-光学工程]
摘 要：采用三相埋沟结构，设计并研制成功用于高背景下红外探测器的高灵敏度4×128元TDICCD信号处理器件。器件转移效率99．99％，动态范围60dB，时钟频率10MHz。文章详细阐述该器件的工作原理、结构设计和制作工艺。
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