分子束外延生长的极性与非极性BeZnO薄膜的比较研究(英文)

作     者：王玉超 吴天准 陈明明 苏龙兴 张权林 汤子康 WANG Yu-chao;WU Tian-zhun;CHEN Ming-ming;SU Long-xing;ZHANG Quan-lin;TANG Zi-kang

作者机构：中山大学理工学院光电材料国家重点实验室广东广州510000 中国科学院深圳先进技术研究院广东深圳518055 香港科技大学物理系 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2013年第34卷第11期

页      面：1483-1488页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家“973”项目(2011CB302000) 国家自然科学基金重点项目(51232009)资助 

主　　题：BeZnO 蓝宝石 晶体取向 分子束外延 光致发光 

摘      要：采用分子束外延设备在不同晶面蓝宝石衬底上(c面,a面,r面)生长BeZnO薄膜。使用复合缓冲层生长得到了高质量的BeZnO薄膜,X射线衍射半高宽达到600 arcsec。在c面与a面蓝宝石衬底上生长得到了极性BeZnO薄膜,在r面蓝宝石上生长得到了非极性BeZnO薄膜。共振拉曼光谱测试结果表明薄膜中的Be含量在同一水平。相对于c面与a面蓝宝石上的极性BeZnO薄膜,生长在r面蓝宝石衬底上的非极性BeZnO薄膜具有较大的表面粗糙度以及较大的半高宽,但是其光致发光谱中的紫外发光峰远远强于极性BeZnO薄膜,并且黄绿光发光峰弱于极性BeZnO薄膜。